特許

J-GLOBAL ID：200903046732752396

酸化物超電導線材およびその製造方法

発明者： 松本 要 ,  腰塚 直巳 ,  田中 靖三
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社 ,  財団法人国際超電導産業技術研究センター
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-152410
公開番号（公開出願番号）：特開平11-003620
出願日： 1997年06月10日
公開日（公表日）： 1999年01月06日
要約：

【要約】【課題】 高い臨界電流密度の超電導体膜を有する酸化物超電導線材およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 {100}面が圧延面に平行で<001>軸が圧延方向に平行な圧延集合組織を有する多結晶金属基板と、この多結晶金属基板の表面に形成された前記多結晶金属の酸化物からなる酸化物結晶層と、この酸化物結晶層の表面に形成された酸化物超電導体層とを具備し、前記酸化物結晶層の90%以上の{100}面が前記多結晶金属基板の表面に対して10°以下の角度で平行であることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

{100}面が圧延面に平行で<001>軸が圧延方向に平行な圧延集合組織を有する多結晶金属基板と、この多結晶金属基板の表面に形成された前記多結晶金属の酸化物からなる酸化物結晶層と、この酸化物結晶層の表面に形成された酸化物超電導体層とを具備し、前記酸化物結晶層の90%以上の{100}面が前記多結晶金属基板の表面に対して10°以下の角度で平行であることを特徴とする超電導線材。

IPC (4件)：

H01B 12/06 ZAA ,  C30B 29/22 501 ,  C30B 29/22 ,  H01B 13/00 565

FI (4件)：

H01B 12/06 ZAA ,  C30B 29/22 501 C ,  C30B 29/22 501 E ,  H01B 13/00 565 D

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特公平4-022853
  
• 溶融法によるBi系酸化物超電導導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-177233   出願人：株式会社フジクラ, 東京電力株式会社
• 酸化物超電導線材及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-224745   出願人：株式会社日立製作所

審査官引用 (1件)

• 特公平4-022853