特許

J-GLOBAL ID：200903046732991285

層構造を有する基板の製造方法

発明者： クナペン ペーター サイモン アントニウス
出願人/特許権者： コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ
代理人 (1件)： 津軽 進
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-529444
公開番号（公開出願番号）：特表2000-516013
出願日： 1998年04月30日
公開日（公表日）： 2000年11月28日
要約：

【要約】金層(7,13)を形成する基本層(3,11)上に金が堆積され、その後、酸化アルミニウム層(9,15)を形成するために金層上に酸化アルミニウムが堆積される多重構造を製造する方法に関する。酸化シリコン層が酸化シリコン層(11,13)を形成するためPE-CVDにより酸化アルミニウム層上に堆積され、酸化アルミニウム層が、金層と前記酸化シリコン層との間の接着層を形成し、酸化シリコン層が、酸化アルミニウム層ともに金層用のクラッド層を形成する。

請求項（抜粋）：

金層を形成する基本層上に金が堆積され、その後、酸化アルミニウム層を 形成するために金層上に酸化アルミニウムが堆積される多重構造を製造する 方法において、 酸化シリコン層が酸化シリコン層を形成するためPE-CVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)により酸化アルミニウム層上に堆積され、 前記酸化アルミニウム層が、前記金層と前記酸化シリコン層との間の接着層を形成し、 前記酸化シリコン層が、前記酸化アルミニウム層ともに前記金層用のクラッド層を形成することを特徴とする多層構造を製造する方法。

IPC (4件)：

G11B 5/31 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04

FI (3件)：

G11B 5/31 F ,  H01L 21/90 M ,  H01L 27/04 L