気相成長装置及び気相成長方法

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出願人/特許権者： ,
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-301644
公開番号（公開出願番号）：特開2002-110564
出願日： 2000年10月02日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：

【要約】【課題】基板に平行な方向から原料を含むガスを供給するとともに、基板に垂直な方向から押圧ガスを供給する横形反応管を用いる気相成長において、大型の基板の気相成長あるいは複数枚の基板の同時気相成長を行なう場合であっても、高温度で気相成長を行なう場合であっても、基板と対向する反応管壁に分解生成物または反応生成物の析出を生じさせることなく、高品質の結晶が得られる気相成長装置及び気相成長方法を提供する。【解決手段】押圧ガス導入部から反応管内に供給される単位面積当たりの押圧ガスの流量が、押圧ガス導入部の中心部で相対的に少なく周辺部で相対的に多くなるか、または原料ガス流路の中央部で相対的に少なく両端部で相対的に多くなるように設定されている気相成長装置とする。

請求項（抜粋）：

基板を載せるためのサセプタ、該基板を加熱するためのヒーター、原料ガスの反応管内への供給方向が該基板に実質的に平行となるように配置された原料ガス導入部、及び反応ガス排出部を有するとともに、該基板と対向する反応管壁に押圧ガス導入部を備えた横形反応管からなる半導体膜の気相成長装置であって、該押圧ガス導入部から該反応管内に供給される単位面積当たりの押圧ガスの流量が、押圧ガス導入部の中心部で相対的に少なく周辺部で相対的に多くなるように設定されていることを特徴とする気相成長装置。

IPC (5件)：

H01L 21/205 , C23C 16/34 , C23C 16/455 , H01L 33/00 , H01S 5/323

FI (5件)：

H01L 21/205 , C23C 16/34 , C23C 16/455 , H01L 33/00 C , H01S 5/323

Fターム (49件)：

4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA08 , 4K030BA38 , 4K030CA01 , 4K030CA12 , 4K030EA05 , 4K030EA06 , 4K030FA10 , 4K030GA05 , 4K030KA02 , 4K030KA08 , 4K030LA18 , 5F041AA40 , 5F041AA41 , 5F041CA40 , 5F041CA64 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AC08 , 5F045AC09 , 5F045AC12 , 5F045AC16 , 5F045AC17 , 5F045AD09 , 5F045AD15 , 5F045AF02 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045BB01 , 5F045BB16 , 5F045CA10 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045DP02 , 5F045DP18 , 5F045DQ06 , 5F045EE20 , 5F045EF05 , 5F045EF09 , 5F045EF13 , 5F045EM02 , 5F045EM10 , 5F045HA06 , 5F073CA17 , 5F073CB05 , 5F073DA05

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