特許
J-GLOBAL ID:200903046742890541

有機トランジスタアクティブ基板とその製造方法および該有機トランジスタアクティブ基板を用いた電気泳動ディスプレイ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 渡邉 昌幸 ,  磯村 雅俊
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-190067
公開番号(公開出願番号):特開2007-103913
出願日: 2006年07月11日
公開日(公表日): 2007年04月19日
要約:
【課題】簡便な製法が可能で、かつ低コスト化が可能な有機TFTからなるアクディブ基板の製造方法と該方法で製造されたアクティブ基板および電気泳動型ディスプレイを提供すること。【解決手段】アクティブ基板上に表示素子を積層するに当たり、基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース・ドレイン電極、活性層から構成される有機薄膜トランジスタを作成し、その上に、層間絶縁膜6を介し画素電極(個別電極8)を配置した構造を形成する。本発明では、層間絶縁膜6をポリビニルブチラール樹脂などの樹脂を少なくともブトキシエタノールを含む溶剤を用いて溶解したインク(ペースト)を用い、スクリーン印刷法によって形成したことを特徴とする。これにより、コンタクトホール開孔処理なしに、層間絶縁膜6を形成することが可能になった。【選択図】図2
請求項(抜粋):
基板上に、第1の電極を形成し、該第1の電極上に第1の絶縁膜を形成し、該第1の絶縁膜状に第2の対電極を形成し、該第2の対電極上に有機半導体材料からなる活性層を形成することにより有機トランジスタを構成させ、該有機トランジスタ上に第2の絶縁膜を堆積し、前記第2の対電極の一方と前記第2の絶縁膜に設けられたスルーホールを介して電気的導通がとられた第3の電極を積層するようにした有機トランジスタアクティブ基板の製造方法であって、 前記第1の電極および前記第2の対電極層が、インクジェット法により形成され、 前記第1の絶縁膜がコーティングにより形成され、 前記活性層がインクジェット法により形成され、 前記第2の絶縁膜がスクリーン印刷法により形成され、 前記第3の電極がスクリーン印刷法により形成されてなることを特徴とする有機トランジスタアクティブ基板の製造方法。
IPC (7件):
H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 51/40 ,  G02F 1/167 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/368
FI (8件):
H01L29/78 619A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 280 ,  H01L29/28 310J ,  G02F1/167 ,  H01L21/312 A ,  H01L21/368 L
Fターム (33件):
5F053AA50 ,  5F053BB60 ,  5F053DD19 ,  5F053FF01 ,  5F053LL10 ,  5F053PP03 ,  5F058AC02 ,  5F058AC10 ,  5F058AD04 ,  5F058AD09 ,  5F058AF04 ,  5F058AF06 ,  5F058AG01 ,  5F058AH01 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE42 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110FF36 ,  5F110GG05 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK32 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN33 ,  5F110NN71
引用特許:
出願人引用 (4件)
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