特許

J-GLOBAL ID：200903046749004342

半導体の銅製の相互接続部を不動態化処理する方法

発明者： サイレシュ マンシン マーチャント ,  スダンシュ ミスラ
出願人/特許権者： ルーセント テクノロジーズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-189019
公開番号（公開出願番号）：特開2001-057385
出願日： 2000年06月23日
公開日（公表日）： 2001年02月27日
要約：

【要約】【課題】 従来技術の欠点を解決するような半導体における銅製の相互接続部を不動態化処理する方法を提供すること。【解決手段】 半導体基板の上に第1酸化物層を堆積し、その上にエッチストップ層を形成し、エッチストップ層の上に第2酸化物層を形成し、第2酸化物層内に第1のトレンチ開口をエッチングで形成し、その後このエッチストップをエッチングするステップと、相互接続用の貫通導体を形成するために前記第1トレンチ開口により規定された領域内で前記第1酸化物層内に第2開口をエッチングで形成し、前記第2酸化物層の一部の上に銅層を電気的に堆積して前記第1と第2の開口内に銅を堆積して露出した銅製の相互接続部を形成し、その上に、不動態化処理表面として銅タングステン酸塩と銅クロム酸塩を形成するためにMOCVDリアクタ内でタングステンアルコキサイド、クロムアルコキサイドの蒸気を含有する化学反応に曝し、不動態化表面を有する銅製の相互接続部を化学機械研磨することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

(A) 半導体基板(74)の上に第1酸化物層(72)を堆積するステップと、(B) 前記第1酸化物層の上にエッチストップ層(70)を形成するステップと、(C) 前記エッチストップ層の上に第2酸化物層(76)を形成するステップと、(D) 前記第2酸化物層内に第1のトレンチ開口(90)をエッチングで形成し、その後このエッチストップ層(72)をエッチングするステップと、(E) 相互接続用の貫通導体を形成するために、前記第1トレンチ開口により規定された領域内で前記第1酸化物層(72)内に第2開口(80)をエッチングで形成するステップと、(F) 前記第2酸化物層(76)の一部の上に銅層を電気的に堆積して前記第1と第2の開口内に銅を堆積して露出した銅製の相互接続部(84)を形成するステップと、(G) 前記露出した銅製の相互接続部(84)の上に、不動態化処理表面として銅タングステン酸塩と銅クロム酸塩を形成するためにMOCVDリアクタ内でタングステンアルコキサイド(tungsten alkoxide)、クロムアルコキサイド(chromium alkoxide)の蒸気を含有する化学反応に曝すステップと、(H) 不動態化表面(86)を有する銅製の相互接続部を化学機械研磨するステップとを有することを特徴とする半導体の銅製の相互接続部を不動態化処理する方法。

IPC (4件)：

H01L 21/768 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/306

FI (4件)：

H01L 21/90 A ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/304 622 X ,  H01L 21/306 M