特許

J-GLOBAL ID：200903046754248578

ポジ型電子線レジストのパターン形成方法

発明者： 佐藤 三善 ,  奥山 登志夫 ,  田村 章 ,  米澤 正次
出願人/特許権者： 東亞合成株式会社 ,  凸版印刷株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-226609
公開番号（公開出願番号）：特開平7-056360
出願日： 1993年08月20日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：

【要約】【目的】 本発明は高感度、高解像度で、かつ、密着性、ドライエッチング耐性に優れるポジ型電子線レジストの現像方法、すなわち優れたレジストパターンの形成方法を提供するものである。【構成】 2-シアノアクリル酸エステル重合体等を主成分とするレジストの現像液として、炭素数1から3のアルキル基を有する酢酸アルキルエステルから選ばれたレジスト可溶性溶剤と炭素数1から4のアルキル基を有するプロピレングリコールモノアルキルエーテルから選ばれたレジスト不溶性溶剤との混合溶剤を用いる。【効果】 本発明によれば、高感度、高解像度で、かつ、密着性、ドライエッチング耐性に優れたポジ型電子線レジストのパターン形成が可能となり、フォトマスクの製造やLSI、超LSIの製造において生産性、品質の向上に大きな効果をもたらすことができる。

請求項（抜粋）：

2-シアノアクリル酸エステル重合体または該重合体と主鎖構造が実質的に同一の重合体を主成分とするレジストに電子線を照射し、主鎖分裂により低分子量化した部分を現像液により選択的に溶解させるポジ型電子線レジストのパターン形成方法において、炭素数1から3のアルキル基を有する酢酸アルキルエステルから選ばれたレジスト可溶性溶剤と炭素数1から4のアルキル基を有するプロピレングリコールモノアルキルエーテルから選ばれたレジスト不溶性溶剤との混合溶剤を現像液として用いることを特徴とするポジ型電子線レジストのパターン形成方法。

IPC (3件)：

G03F 7/32 ,  G03F 7/039 501 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 541 P

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-366959
  
• 特開平4-062558
  
• 特開昭53-087720
  
• 特開平2-113256