特許
J-GLOBAL ID：200903046772151204
マイクロスイッチング素子製造方法およびマイクロスイッチング素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
吉田 稔
, 田中 達也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-055180
公開番号（公開出願番号）：特開2005-243576
出願日： 2004年02月27日
公開日（公表日）： 2005年09月08日
要約：
【課題】 マイクロスイッチング素子を歩留まりよく製造すること。【解決手段】 本発明は、基板S1と、相互に離隔して基板S1に固定された一対の支持部20と、一対の支持部20を架橋する膜体31、ならびに当該膜体31上に配された可動コンタクト電極32および可動駆動電極33を有する可動梁部30と、可動コンタクト電極32に対向する一対の固定コンタクト電極11と、可動駆動電極33と協働して静電気力を発生させるための固定駆動電極12と、を備えるマイクロスイッチング素子を製造するための方法であり、基板S1上に犠牲層を形成するための工程と、犠牲層上に膜体31を形成するための工程と、相互に離隔して基板S1および膜体31の間に介在する一対の支持部20が残存形成されるように、犠牲層に対して膜体31を介してエッチング処理を施すための工程と、を含む。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
基板と、
相互に離隔して前記基板に固定された一対の支持部と、
前記一対の支持部を架橋する膜体、並びに、当該膜体上に配された可動コンタクト電極および可動駆動電極、を有する可動梁部と、
前記可動コンタクト電極に対向する一対の固定コンタクト電極と、
前記可動駆動電極と協働して静電気力を発生させるための固定駆動電極と、を備えるマイクロスイッチング素子を製造するための方法であって、
基板上に犠牲層を形成するための犠牲層形成工程と、
前記犠牲層上に膜体を形成するための膜体形成工程と、
相互に離隔して前記基板および前記膜体の間に介在する一対の支持部が残存形成されるように、前記犠牲層に対して前記膜体を介してエッチング処理を施すための支持部形成工程と、を含む、マイクロスイッチング素子製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
出願人引用 (2件)
審査官引用 (5件)
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