特許

J-GLOBAL ID：200903046772823660

半導体素子の連続的製造装置

発明者： 大利 博和 ,  辻 伸一 ,  伊澤 博司 ,  吉野 豪人 ,  越前 裕 ,  保野 篤司 ,  金井 正博
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 長尾 達也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-314688
公開番号（公開出願番号）：特開平9-134883
出願日： 1995年11月08日
公開日（公表日）： 1997年05月20日
要約：

【要約】【課題】本発明の課題は、ガスゲートの改良により装置のコンパクト化を図ると共に、隣り合う成膜室へのガスの混入拡散を防ぎ、成膜に適した圧力を確保して、生産性の高い半導体素子の連続的製造装置を提供することにある。【解決手段】本発明は、上記課題を解決するため、帯状基板をその長手方向に連続的に搬送させながらスリット状の分離通路を有するガスゲートで接続された成膜圧力の異なる複数の成膜室を通過させ前記帯状基板上に半導体素子を連続的に形成する半導体素子の連続的製造装置において、前記成膜圧力の異なる成膜室を接続するガスゲートの開口面を、前記帯状基板の移動する長手方向に対して、段階的または連続的にガスゲート入口側が大きく出口側が小さくなるように形成すると共に、前記ガスゲートへ流す分離用ガスの吹き出し口を成膜圧力の大きい成膜室側に設けたことを特徴とすものである。

請求項（抜粋）：

帯状基板をその長手方向に連続的に搬送させながらスリット状の分離通路を有するガスゲートで接続された成膜圧力の異なる複数の成膜室を通過させ前記帯状基板上に半導体素子を連続的に形成する半導体素子の連続的製造装置において、前記成膜圧力の異なる成膜室を接続するガスゲートの開口面を、前記帯状基板の移動する長手方向に対して、段階的または連続的にガスゲート入口側が大きく出口側が小さくなるように形成すると共に、前記ガスゲートへ流す分離用ガスの吹き出し口を成膜圧力の大きい成膜室側に設けたことを特徴とする半導体素子の連続的製造装置。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  C23C 16/54 ,  H01L 31/04

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  C23C 16/54 ,  H01L 31/04 T