特許

J-GLOBAL ID：200903046784567180

半導体被膜の結晶化方法

発明者： 河野 尚毅
出願人/特許権者： 東燃株式会社
代理人 (1件)： 久保田 耕平 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-228620
公開番号（公開出願番号）：特開平7-169689
出願日： 1994年08月30日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
要約：

【要約】【目的】 融点以下の温度条件で長時間を要さずに半導体被膜の結晶化又は再結晶化が図れる半導体被膜の結晶化方法を提供する。【構成】 プラズマCVD法により基材3上に製膜された非晶質Si(シリコン以下同様)膜(半導体被膜)30を搬送ベルト4を介して結晶化装置内に搬入し、ガイド板5に取付けられた超音波振動子6から非晶質Si膜30に対し超音波振動エネルギーを与えながらSiの融点以下の条件で加熱処理し非晶質Si膜30の結晶化を行う方法。この方法によれば結晶化途中の多結晶Si膜内に結晶粒径が小さい部位やSi原子の結合が切れあるいは結合間距離が不規則な部位等結晶性が良好でない部位が発生しても、この結晶性が良好でない部位は良好な部位に較べ超音波振動エネルギーの作用を受けて破壊され易く、かつ破壊されたこれ等部位は周囲から熱エネルギーの作用を受けて再結晶化が促進されるため結晶性の改善が図れる。

請求項（抜粋）：

基材上に製膜された非晶質又は結晶質の半導体被膜を加熱処理してその結晶化又は再結晶化を行う半導体被膜の結晶化方法において、上記基材上に製膜された非晶質又は結晶質の半導体被膜に対し超音波振動エネルギーを与えながら上記半導体被膜を構成する半導体材料の融点以下の温度条件で加熱処理を行うことを特徴とする半導体被膜の結晶化方法。

IPC (7件)：

H01L 21/20 ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/324 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 31/04

FI (2件)：

H01L 29/78 311 Y ,  H01L 31/04 X