特許
J-GLOBAL ID：200903046797357036
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-144914
公開番号（公開出願番号）：特開平8-018007
出願日： 1994年06月27日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：
【要約】【目的】 ワイヤボンディング時のダメージを防止し、かつ高信頼性で大面積の静電破壊保護回路を有した半導体装置を提供する。【構成】 p型半導体基板100上でパッド用Al-Si-Cu配線膜25の下にn型拡散領域20をストライプ状に形成し、n型拡散領域20とp型半導体基板100の間で保護ダイオードを形成している。n型拡散領域20以外の領域のシリコン酸化膜22上に多結晶シリコン膜23を形成し、n型拡散領域20上のパッド用Al-Si-Cu配線膜25は低く、シリコン酸化膜22上のパッド用Al-Si-Cu配線膜25は高くしているため、パッド用Al-Si-Cu配線膜25にボンディングワイヤ28をボンディングする時の圧力はシリコン酸化膜22に加わり、n型拡散領域20に加わらないため、保護ダイオードが劣化しない。
請求項（抜粋）：
一導電型の半導体基板と、この半導体基板上にストライプ状または複数の島状に形成された他導電型の拡散領域と、前記半導体基板上の前記拡散領域を除く所定の領域に形成された絶縁膜と、この絶縁膜上に形成された段差形成層と、断面段差形状を有しその段差形状の低部が前記拡散領域上部に位置し段差形状の高部が前記段差形成層上に位置するように形成され前記拡散領域と電気的に接続された入出力信号用パッドとを備え、前記半導体基板が電位供給端子に接続され、前記半導体基板と前記拡散領域とで保護ダイオードを構成した半導体装置。
IPC (2件)：
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