特許
J-GLOBAL ID：200903046806794037
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
寒川 誠一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-233991
公開番号（公開出願番号）：特開平6-084852
出願日： 1992年09月02日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：
【要約】【目的】 半導体ウェーハ上にシリコンやタングステン等の薄膜をCVD法等を使用して成長する際の半導体ウェーハの前処理方法に関し、パーティクルの付着が少ないドライ前処理方法を使用し、しかもCVD法を使用してシリコンやタングステン等の薄膜を成長するときに容易に除去可能なアルキル基によりパッシベートする方法を提供することを目的とする。【構成】 大気圧以下の減圧下において半導体ウェーハ表面にフッ化水素ガスを接触させて自然酸化膜を除去した後、アルコールガスを接触させて半導体ウェーハ表面を処理するか、または、大気圧以下の減圧下において半導体ウェーハ表面にフッ化水素ガスとアルコールガスとを同時に接触させ、半導体ウェーハ表面の自然酸化膜を除去するとゝもに、半導体ウェーハ表面を処理する。
請求項（抜粋）：
大気圧以下の減圧下において半導体ウェーハ表面にフッ化水素ガスを接触させて自然酸化膜を除去した後、アルコールガスを接触させて前記半導体ウェーハ表面を処理する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/302
, H01L 21/304 341
