特許

J-GLOBAL ID：200903046807818991

トンネル層に量子ドットを有するトランジスタ

発明者： シュテファン、ペーター、グラボブスキー ,  コーネリス、ラインデール、ロンダ
出願人/特許権者： コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ
代理人 (5件)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-548446
公開番号（公開出願番号）：特表2007-519240
出願日： 2004年12月22日
公開日（公表日）： 2007年07月12日
要約：

本発明は、半導体本体(1)内に配置された半導体部品を記述したもので、前記半導体部品は、第1の導電型である少なくとも1つのソース領域(4)及び少なくとも1つのドレイン領域(5)を有し、ソース領域とドレイン領域の間に配置された第2の導電型である少なくとも1つの本体領域(8)を有し、絶縁層(9)により半導体本体から絶縁された少なくとも1つのゲート電極(10)を有し、前記絶縁層(9)は好ましくは焼結された一体化量子ドット含有層である。本発明は更に、量子ドット含有誘電性懸濁液が半導体本体に塗布され、次に例えば焼結によって一体化される上記の半導体部品の作製方法を記述する。

請求項（抜粋）：

半導体本体内に配置された半導体部品であって、第1の導電型である少なくとも1つのソース領域及び少なくとも1つのドレイン領域を有し、ソース領域とドレイン領域の間に配置された第2の導電型である少なくとも1つの本体領域を有し、量子ドットを含む一体化層である絶縁層により前記半導体本体から絶縁された少なくとも1つのゲート電極を有する、半導体部品。

IPC (6件)：

H01L 21/824 ,  H01L 29/792 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/78 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/316

FI (4件)：

H01L29/78 371 ,  H01L29/78 301G ,  H01L27/10 434 ,  H01L21/316 G

Fターム (37件)：

5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BF46 ,  5F058BH02 ,  5F058BJ04 ,  5F083EP17 ,  5F083EP22 ,  5F083EP41 ,  5F083HA06 ,  5F083JA02 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083PR23 ,  5F101BA42 ,  5F101BA48 ,  5F101BA54 ,  5F101BB02 ,  5F101BH01 ,  5F140AA40 ,  5F140AC32 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BA07 ,  5F140BA08 ,  5F140BD11 ,  5F140BD15 ,  5F140BD16 ,  5F140BD17 ,  5F140BE09 ,  5F140BF01 ,  5F140BF05 ,  5F140BH21 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ06