特許

J-GLOBAL ID：200903046810538509

半導体装置のコンタクト開孔方法

発明者： 梅林 拓
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-028216
公開番号（公開出願番号）：特開平9-223735
出願日： 1996年02月15日
公開日（公表日）： 1997年08月26日
要約：

【要約】【課題】 微細化された半導体装置に対しセルフアラインによるコンタクト開孔を可能にする方法を提供する。【解決手段】 狭スペースの配線間にコンタクトを開孔する際に施すRIE加工のストップ層として、コンタクトを開孔すべきポリシリコン上層に、予めシリコン窒化膜を介してポリシリコン層を堆積させ、堆積させたポリシリコン層をストッパーとしてRIE加工を止めることにより、下層の配線であるポリシリコンに対し、セルフアラインでコンタクトを開孔し、コンタクト開孔後に、コンタクト内にポリシリコンのプラグ9A、9Bを形成し、ついでストッパーとして用いたポリシリコン層を酸化工程によってシリコン酸化膜10とすることにより、伝導膜から絶縁膜へと変質させる。

請求項（抜粋）：

ポリシリコンなどによる狭スペースの配線間にコンタクトを開孔する方法であって、コンタクトの開孔時に施すRIE加工のストップ層として、コンタクトを開孔すべきポリシリコン上層に、予めシリコン窒化膜を介してポリシリコン層を堆積させ、前記堆積させたポリシリコン層をストッパーとしてRIE加工を施し、前記予め堆積させたポリシリコン層でRIE加工を止めることにより、下層の配線であるポリシリコンに対し、セルフアラインでコンタクトを開孔し、コンタクト開孔後に、該コンタクト内にポリシリコンのプラグを形成し、ついでストッパーとして用いた前記ポリシリコン層を酸化工程によってシリコン酸化膜とすることにより、伝導膜から絶縁膜へと変質させることを特徴とする半導体装置のコンタクト開孔方法。

IPC (5件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (4件)：

H01L 21/90 C ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/302 J ,  H01L 27/10 681 B