半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-013523
公開番号（公開出願番号）：特開平6-232124
出願日： 1993年01月29日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：

【要約】【目的】リソグラフィー技術で決まる同層配線間隔よりも狭い配線間隔の配線構造を持ち、さらに層間絶縁膜の平坦化が容易にできる半導体装置の製造方法を提供することである。【構成】半導体基板10上に拡散層11と12を形成する。次に、全面に酸化膜13を形成する。次に、多結晶シリコン配線14を形成する。次に、全面に酸化膜15を形成する。次に、BPSG膜16を堆積させてアニールする。次に、拡散層11へのコンタクト孔を形成し、全面に配線金属を堆積させ、これをパターニングして第1の金属配線17を形成する。次に、全面に酸化膜18を形成してから、拡散層12へのコンタクト孔を形成する。次に、配線金属19を全面に堆積させ、さらにレジスト20を全面に塗布する。この後、金属配線17の上の酸化膜18の表面が露出するまでエッチバックを行い、第1の金属配線17同士の間に第2の金属配線を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上の全面に絶縁物を堆積して層間絶縁膜を形成する工程と、上記層間絶縁膜に第1のコンタクト孔群を形成する工程と、上記第1のコンタクト孔群を一部とする第1の金属配線群を形成する工程と、上記第1の金属配線群同士の間にできる溝が完全に埋め尽くされることがない厚さに絶縁物を全面に堆積して絶縁層を形成する工程と、上記絶縁層と上記層間絶縁膜に第2のコンタクト孔群を形成する工程と、上記溝が完全に埋め尽くされるまで全面に導電物を堆積する工程と、上記第1の金属配線群の上部の上記絶縁層の表面が露出するまで上記導電物をエッチバックして第2の金属配線群を形成する工程とを具備したことを特徴とする半導体装置の製造方法。

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