特許
J-GLOBAL ID:200903046811399707

多層セラミック基板及びその作製方法、並びに半導体パッケージ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山本 孝久
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-082434
公開番号(公開出願番号):特開平6-275956
出願日: 1993年03月18日
公開日(公表日): 1994年09月30日
要約:
【要約】【目的】回路設計の自由度が高く、伝送信号波形に劣化を生じさせない、多層セラミック基板を提供する。【構成】多層セラミック基板は、積層された複数の低温焼成セラミックシート18から成る第1の基板部材10と、第1の基板部材の表面に取り付けられ且つ低温焼成セラミックシートから成る第2の基板部材20から構成され、第1の基板部材10の表面に形成された、第1の接続端子部12及び第2の接続端子部14と、第1の基板部材10の内部及び表面に形成され、第1及び第2の接続端子部12,14を電気的に接続する第1の導体回路部16と、第2の基板部材の表面に形成された厚膜抵抗部24と、第2の基板部材の内部及び表面に形成され、第1の導体回路部16と厚膜抵抗部24とを電気的に接続する第2の導体回路部22、を備えている。
請求項(抜粋):
積層された複数の低温焼成セラミックシートから成る第1の基板部材と、該第1の基板部材の表面に取り付けられ且つ低温焼成セラミックシートから成る第2の基板部材から構成され、第1の基板部材の表面に形成された、電気・電子部品との接続のための第1の接続端子部及び外部回路との接続のための第2の接続端子部と、第1の基板部材の内部及び表面に形成され、第1の接続端子部と第2の接続端子部とを電気的に接続する第1の導体回路部と、第2の基板部材の表面に形成された厚膜抵抗部と、第2の基板部材の内部及び表面に形成され、第1の基板部材の表面に形成された第1の導体回路部と厚膜抵抗部とを電気的に接続する第2の導体回路部、を備えていることを特徴とする多層セラミック基板。
IPC (2件):
H05K 3/46 ,  H01L 23/12
FI (3件):
H01L 23/12 N ,  H01L 23/12 Q ,  H01L 23/12 B

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