シリコン-酸化物薄層の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉村暁秀 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-513070
公開番号（公開出願番号）：特表平9-507343
出願日： 1995年10月10日
公開日（公表日）： 1997年07月22日
要約：

【要約】本発明は、例えば金属のような基板表面上にシリコン酸化物の超薄層(<1nm)を設ける方法である。ポリオルガノシロキサンの溶液の膜を前記基板表面に適用する。乾燥した後、前記ポリオルガノシロキサンをUV-オゾン処理により完全にシリコン酸化物層に転化する。かかるシリコン酸化物の超薄層は腐食に対して金属表面を十分に保護する。更に前記シリコン酸化物層は従来のカップリング剤を用いてシラン化でき、ポリマーとの接着を改善する。本発明の方法は、例えばICsに関する金属リードフレームを処理するにあたり、更にはLCディスプレイの受動プレートに関するポリアクリレート上に、インジウムすず酸化物に対する接着層を提供するにあたり、極めて適切に用いることができる。

請求項（抜粋）：

溶剤中にポリオルガノシロキサンが溶解した溶液の膜を基板の表面に設け、その後該膜を乾燥し、これによりポリオルガノシロキサン層を形成し、次いで該ポリオルガノシロキサン層をシリコン酸化物層に転化して、基板にシリコン酸化物層を設けるにあたり、ポリオルガノシロキサン層を乾燥した後、かかる層を溶剤ですすぎ、UV-オゾン処理により前記シリコン酸化物層に転化することを特徴とする基板にシリコン酸化物層を設ける方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 , G02F 1/1333 500 , H01L 23/50

FI (3件)：

H01L 21/316 G , G02F 1/1333 500 , H01L 23/50 V

引用特許：

出願人引用 (3件)

特開平1-199678
特開平4-298542
特開平1-194980

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