半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川和音
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-336709
公開番号（公開出願番号）：特開平8-181214
出願日： 1994年12月26日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：

【要約】【目的】層間絶縁膜からの水分の脱離による金属配線層の腐蝕を完全に防止できる半導体装置を提供する。【構成】シリコン基板11の表面上には、アルミニウムの第1金属配線層12がで形成されている。第1金属配線層12を含むシリコン基板11の表面上には、窒化シリコンの水分遮蔽層13を介してSOGの層間絶縁膜l4が形成されている。水分遮蔽層13、層間絶縁膜14にはビアホール15が形成されている。ビアホール15内には導電性金属からなる充填部16が水分遮蔽層17を介して形成されている。層間絶縁膜14上には水分遮蔽膜18を介して第2金属配線層19が形成されている。第2金属配線層19は充填部を介して第1金属配線層12と電気的に接続さている。

請求項（抜粋）：

第1金属配線層と、前記第1金属配線層上に水分遮蔽膜を介して形成された前記層間絶縁膜と、前記水分遮蔽膜および前記水分遮蔽膜に前記第1金属配線層の表面の一部を露出するように形成されたビアホールと、前記ビアホール内に充填された導電性金属からなる充填部と、前記充填部とビアホール内に面した前記層間絶縁膜および前記水分遮蔽膜の間に形成された水分遮蔽膜と、前記層間絶縁膜上に水分遮蔽膜を介して形成され、かつ、前記充填部を介して前記第1金属配線層と電気的に接続された第2金属配線層とを具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/768 , H01L 21/316

FI (2件)：

H01L 21/90 M , H01L 21/90 C

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