特許

J-GLOBAL ID：200903046818085430

磁気記録媒体およびその製造方法と製造装置

発明者： 稲葉 宏 ,  片岡 宏之 ,  藤巻 成彦 ,  矢野 亮 ,  水村 哲夫 ,  草田 英夫 ,  浅野 巳知男
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立マクセル株式会社
代理人 (1件)： 武 顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-029407
公開番号（公開出願番号）：特開平9-228054
出願日： 1996年02月16日
公開日（公表日）： 1997年09月02日
要約：

【要約】【課題】 フィルム状基材にCVD法を用いてダイヤモンド状炭素膜を形成する場合の成膜速度の高速化を図り、フィルム状基材へのプラズマ処理時のダメージを解消すること。【解決手段】 プラズマ処理槽を有する真空槽6と、前記プラズマ処理槽に反応ガス2を供給する手段と、前記プラズマ処理槽内にフィルム状基材16を挿入し搬出できる機構とを備えたプラズマ処理装置において、前記プラズマ処理槽内の接地電極8上に挿入されたフィルム状基材に対向して設けた対向電極3に高周波電圧1を印加してプラズマを保持し、前記対向電極3の面積を前記プラズマ処理槽内の接地電極8の面積より十分に大きくして高エネルギーのイオンを被処理表面に流出させ、前記対向電極を前記真空槽の一部とすることで装置構造上の電気容量を最小限とし、前記磁性層表面の一部が100mm2以上の接触面積で電気的に接地しているプラズマ処理装置。

請求項（抜粋）：

プラズマ処理槽を含む有限な空間をもつ真空槽と、前記プラズマ処理槽に反応ガスを供給する手段と、反応ガスを排気する手段と、プラズマを発生させるための電力を供給する手段と、前記プラズマ処理槽内にフィルム状基材を挿入し搬出できる機構と、を備え、磁性層が形成された非磁性のフィルム状基材表面にプラズマ処理をする装置において、前記プラズマ処理槽内の接地電極上に挿入されたフィルム状基材に対向して設けた対向電極に高周波電圧を印加してプラズマを保持し、前記対向電極の面積を前記プラズマ処理槽内の接地電極の面積より十分に大きくして高エネルギーのイオンを被処理表面に流出させ、前記対向電極を前記真空槽の一部として形成することにより、装置構造上の電気容量を最小限とし前記磁性層表面の一部が100mm2以上の接触面積で電気的に接地していることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (5件)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/26 ,  C30B 29/04 ,  G11B 5/72 ,  G11B 5/84

FI (5件)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/26 ,  C30B 29/04 D ,  G11B 5/72 ,  G11B 5/84