特許
J-GLOBAL ID：200903046828294593
FETドライブ回路
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
五十嵐 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-148604
公開番号（公開出願番号）：特開平9-051260
出願日： 1996年05月20日
公開日（公表日）： 1997年02月18日
要約：
【要約】【課題】 FETに最適なオン駆動のゲート電圧を安定的に印加できるFETドライブ回路を提供する。【解決手段】 FETドライブ回路1のFET2のゲートに入力コンデンサ4を接続し、FETのゲート・ソース間にクランプダイオード6を設けた。トランス10の出力V2 によりFET2がオンし、FET2のゲート・ソース間および入力コンデンサ4には電荷がチャージする。トランス10の出力V2 が反転すると、FET2のゲート・ソース間および入力コンデンサ4の電荷が放電する。FET2のゲート電圧VG がソース側から見て設定電圧まで減少したとき、クランプダイオード6がスイッチオンし、FET2のゲート電圧VG を設定電圧にクランプする。オフ時のゲート電圧VG のクランプにより、FET2のオン時におけるFET2のゲート電圧VG はFET2のオン期間に関係なく一定の電圧になる。
請求項（抜粋）：
ゲート・ソース間に内部容量を持つFETをドライブするFETドライブ回路において、前記FETのゲートに入力コンデンサが接続され、FETのゲート・ソース間には該FETのオフ期間にゲート電圧がソース側から見て予め定めた設定の電圧まで減少したときにオンさせてFETのゲート・ソース間電圧を設定の直流電圧にクランプするスイッチ素子が設けられていることを特徴とするFETドライブ回路。
IPC (4件)：
H03K 17/695
, H02M 3/28
, H02M 7/21
, H03K 5/007
H03K 17/687 B
, H02M 3/28 F
, H02M 7/21 A
, H03K 5/00 C
