特許
J-GLOBAL ID：200903046838285681
半導体ウエハの欠陥低減法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊沢 敏昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-145899
公開番号（公開出願番号）：特開2004-282093
出願日： 2004年05月17日
公開日（公表日）： 2004年10月07日
要約：
【課題】イントリンシック・ゲッタリングによる半導体ウエハの欠陥低減法において、安全性の向上とコスト低減を図る。【解決手段】シリコン等の半導体ウエハ10の内部に第1の熱処理により酸素析出核12を形成した後、ウエハ10の表面層にH2+からなる水素イオンを注入する。不活性ガス雰囲気中でウエハ10に第2の熱処理を施すことによりウエハ10の内部に微小欠陥14を形成すると共にウエハ10の表面層を無欠陥層16に変化させる。無欠陥層16は、イオン注入された水素の還元作用によりウエハ10の表面層から酸素及び酸素析出核が外方拡散されることによって形成される。微小欠陥14は、重金属等の汚染不純物をゲッタ(捕獲)すべく作用する。第2の熱処理では、高純度水素を供給しないので、安全且つ低コストである。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
第1の熱処理により半導体ウエハの内部に酸素析出核を形成する工程と、
前記第1の熱処理の後、前記半導体ウエハの表面層にH2+からなる水素イオンを注入する工程と、
前記水素イオンの注入の後、前記半導体ウエハに不活性ガス雰囲気中で第2の熱処理を施すことにより、前記半導体ウエハの内部に微小欠陥を成長させると共に、注入された水素の還元作用を利用して前記半導体ウエハの表面層を無欠陥層に変化させる工程と
を含む半導体ウエハの欠陥低減法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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