特許

J-GLOBAL ID：200903046839471160

結晶基板

発明者： 柴田 真佐知 ,  大井 義夫
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-240383
公開番号（公開出願番号）：特開2002-053398
出願日： 2000年08月03日
公開日（公表日）： 2002年02月19日
要約：

【要約】【課題】 大口径で安価、かつ放熱特性のよい結晶基板を提供する。【解決手段】 表面が[111]軸方向に配向した多結晶SiC基板2を用い、その多結晶SiC基板の上にIII 族窒化物単結晶1を成長させることにより、大口径で安価、かつ放熱特性のよい結晶基板が得られる。

請求項（抜粋）：

一軸に配向した多結晶炭化珪素基板の少なくとも一方の面に、炭化珪素以外の単結晶膜を成長させたことを特徴とする結晶基板。

IPC (5件)：

C30B 29/38 ,  C30B 19/12 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/208 ,  H01L 33/00

FI (5件)：

C30B 29/38 D ,  C30B 19/12 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/208 S ,  H01L 33/00 C

Fターム (55件)：

4G077AA03 ,  4G077AB02 ,  4G077BE15 ,  4G077CG01 ,  4G077DB01 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077QA02 ,  4G077QA11 ,  4G077QA71 ,  4G077QA79 ,  5F041AA04 ,  5F041AA33 ,  5F041AA44 ,  5F041CA22 ,  5F041CA24 ,  5F041CA33 ,  5F041CA40 ,  5F045AA04 ,  5F045AA08 ,  5F045AB10 ,  5F045AB11 ,  5F045AB12 ,  5F045AB14 ,  5F045AB22 ,  5F045AB23 ,  5F045AB32 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC18 ,  5F045AD10 ,  5F045AD15 ,  5F045AE29 ,  5F045AF02 ,  5F045AF13 ,  5F045AF20 ,  5F045BB08 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045EB15 ,  5F053AA01 ,  5F053DD03 ,  5F053DD07 ,  5F053DD11 ,  5F053DD14 ,  5F053DD16 ,  5F053DD20 ,  5F053FF01 ,  5F053GG01 ,  5F053HH04 ,  5F053LL02 ,  5F053LL03 ,  5F053PP01 ,  5F053RR13