特許

J-GLOBAL ID：200903046843047764

半導体装置の製造方法

発明者： 船水 将久 ,  櫛部 光弘
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-278604
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090707
出願日： 1991年09月30日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：

【要約】【目的】 再成長によっても良好なpn接合を形成することができ、例えば埋込み型半導体レーザにおいて、電流リークを減少して十分なる低しきい値発振を可能とした半導体装置の製造方法を提供すること。【構成】 埋込み型半導体レーザのような半導体装置の製造方法において、Siドープのn型InP第1クラッド層31上に該クラッド層31よりも不純物濃度の低いSiドープのn- 型第2クラッド層32を成長する工程と、クラッド層32上に活性層33を含むストライプ状のメサ部を形成する工程と、クラッド層32上に、Siよりも拡散係数の大きいZnをp型不純物として用い、その濃度がクラッド層31におけるSiの濃度よりも低く、クラッド層32におけるSiの濃度よりも高いp型の埋込み層35を成長する工程とを有し、埋込み層35からのZnの拡散によりクラッド層32をp型領域37に反転させることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

第1導電型の第1の半導体層上に該半導体層よりも不純物濃度が低い第1導電型の第2の半導体層を成長形成する工程と、第2の半導体層上に、第1及び第2の半導体層における第1導電型不純物よりも拡散係数の大きい第2導電型不純物の濃度が、第1の半導体層における第1導電型不純物の濃度よりも低く、第2の半導体層における第1導電型不純物の濃度よりも高い第2導電型の第3の半導体層を成長形成する工程とを備え、第3の半導体層からの第2導電型不純物の拡散により第2の半導体層を第2導電型に反転させることを特徴とする半導体装置の製造方法。