特許
J-GLOBAL ID：200903046847352618
半導体レーザ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-074939
公開番号（公開出願番号）：特開平6-291407
出願日： 1993年04月01日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
要約：
【要約】 (修正有)【構成】半導体レーザの活性層中にエッチングを停止するためのエッチストップ層5とレーザ光の光密度を下げるためのビーム拡大層6を設けた。【効果】エッチストップ層とビーム拡大層とを独立に設計することが可能となり、高出力の半導体レーザを再現性よく得ることができる。
請求項（抜粋）：
導電型の異なる半導体層よりなる2層のクラッド層とこれに挟まれた前記クラッド層よりも狭い禁制帯幅を有する単一又は複数の半導体層よりなる活性層を含み、前記クラッド層中に前記クラッド層の化学エッチングを停止するためのエッチストップ層と前記クラッド層よりも大きく前記活性層よりも小さな屈折率を有するビーム拡大層を有することを特徴とする半導体レーザ。
引用特許：
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