微細孔への導体金属穴埋め方法及びその処理装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：薄田利幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-017257
公開番号（公開出願番号）：特開平5-214530
出願日： 1992年02月03日
公開日（公表日）： 1993年08月24日
要約：

【要約】【目的】金属の選択CVDにより基板上の絶縁膜に設けられた微細孔を穴埋めするに際し、高選択性と良好な導通特性を両立するための微細孔下地の清浄化処理を行っても、一定の埋め込み膜厚を得ることのできる穴埋め方法とそれを実施する処理装置とを実現することにある。【構成】金属を選択成長させるべき微細孔底部の下地表面の酸化膜をハロゲンプラズマによって除去した後、ハロゲンプラズマ処理によって発生した反応生成物(揮発性残留物)を真空中もしくはH2中で、しかも成膜加熱温度よりも高い温度条件下で基板を加熱し、その加熱時間を質量分析計で制御しながら除去する。さらに、成膜ラグタイムを質量分析計によりモニタし、CVD時間を制御しながら微細孔への金属穴埋めを行なう。これにより、微細接続孔の穴埋めが必要なLSIや計算機等の多層プリント板等の多層配線の信頼性向上に寄与することができる。

請求項（抜粋）：

?@基板上の絶縁膜表面の活性化を伴わないで微細孔底部の下地表面を清浄化処理する工程と、?A金属の選択CVDによる微細孔への金属穴埋め処理工程とを有し、選択的に微細孔内へ導体金属を埋め込む方法であって、前記?@の清浄化処理工程の後に、?B基板温度を金属の選択CVD時の温度よりも高い温度に保持した状態で、前記清浄化処理によって生成され下地表面に付着した揮発性残留物を除去する工程を付加して成る微細孔への導体金属穴埋め方法。

IPC (3件)：

C23C 16/00 , H01L 21/28 , H01L 21/285

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平2-132825
特開昭63-129625
特開昭55-060099

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