特許
J-GLOBAL ID:200903046856832967

薄膜を有する基材の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-217701
公開番号(公開出願番号):特開平6-069121
出願日: 1992年08月17日
公開日(公表日): 1994年03月11日
要約:
【要約】【構成】触媒を気化し、基材表面上に吸着した後、さらにモノマガスに接触させることにより、該触媒が吸着された基材表面上に重合体薄膜を成膜することを特徴とする薄膜を有する基材の製造方法。【効果】本発明により、所望のレジストパターンが得られる二層構造レジストを有する基材の提供することができる。
請求項(抜粋):
触媒を気化し、基材表面上に吸着した後、さらにモノマガスに接触させることにより、該触媒が吸着された基材表面上に重合体薄膜を成膜することを特徴とする薄膜を有する基材の製造方法。

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