分布帰還型半導体レーザ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：森哲也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-015953
公開番号（公開出願番号）：特開平11-195838
出願日： 1998年01月28日
公開日（公表日）： 1999年07月21日
要約：

【要約】【課題】分布帰還型半導体レーザにおいて、軸方向空間ホールバーニングが生じないようにする。【解決手段】素子内部に利得結合型の回折格子層7を形成する。一方の端面に高反射膜13を他方の端面に反射防止膜12を形成する。回折格子層7は、共振器長方向で周期の異なる二つの領域を有し、高反射膜13面側の領域の周期C1を反射防止膜12面側の周期C2より長くする。回折格子層7は、また、共振器長方向でデューティ比の異なる二つの領域を有し、高反射膜13面側の領域のデューティ比(W1/C1)を反射防止膜12面側のデューティ比(W2/C2)より小さくする。

請求項（抜粋）：

素子内部に利得結合型の回折格子が形成され、且つ光伝搬方向両端面の反射率が異なる構造の分布帰還型半導体レーザにおいて、利得結合型回折格子は光伝搬方向で周期の異なる複数の領域を有し、反射率の低い端面側より反射率の高い端面側の周期を長くしたことを特徴とする分布帰還型半導体レーザ。

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