特許

J-GLOBAL ID：200903046868061362

半導体レーザ

発明者： 関 俊司 ,  横山 清行
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 高山 敏夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-103801
公開番号（公開出願番号）：特開平6-296061
出願日： 1993年04月07日
公開日（公表日）： 1994年10月21日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 結晶格子欠陥が発生しない程度の歪量で軽い正孔と重い正孔のエネルギ準位を分離し、高性能の半導体レーザを提供する。【構成】 歪を有する活性層2と無歪の障壁層1との間に、歪を有する障壁調整層3を形成した半導体レーザ。

請求項（抜粋）：

歪を有する活性層と無歪の障壁層との間に、歪を有する障壁調整層を形成することを特徴とする半導体レーザ。