特許

J-GLOBAL ID：200903046869487924

半導体装置の製造方法

発明者： 鈴木 和明
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-287483
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121341
出願日： 1997年10月20日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：

【要約】【課題】露光工程を含む半導体装置の製造方法に関し、パーティクルの発生を抑制しながら、露光処理の際のスループットと歩留りを向上すること。【解決手段】回路パターン7a〜7dが繰り返して複数形成された第一のマスクを半導体ウェハに向けて配置する工程と、複数の回路パターン7a〜7dのうち半導体ウェハの縁に重なる部分の回路パターンを残りの回路パターンにはみ出ない範囲でブラインドによって遮光する工程と、ブラインドにより一部が遮光された状態の第一のマスクを用いて半導体ウェハ上のレジストを露光する工程と、前記レジストのうち前記ブラインドの縁が転写された領域に、遮光膜により区画された光透過パターン7g,7hを有する第二のマスクを用いて光を照射する工程と、前記レジストを現像する工程とを含む。

請求項（抜粋）：

回路パターンが繰り返して複数箇所に形成された第一のマスクを半導体ウェハに向けて配置する工程と、複数の前記回路パターンのうち前記半導体ウェハの縁に重なる部分の前記回路パターンを、残りの前記回路パターンを浸食しない範囲でブラインドによって遮光する工程と、前記ブラインドにより一部が遮光された状態の前記第一のマスクを用いて前記半導体ウェハ上のレジストを露光する工程と、前記レジストのうち前記ブラインドの縁が転写された領域に、遮光膜により区画された光透過パターンを有する第二のマスクを用いて光を照射する工程と、前記レジストを現像する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521

FI (2件)：

H01L 21/30 515 D ,  G03F 7/20 521