特許
J-GLOBAL ID：200903046877841796
ショットキーバリアダイオードおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊藤 洋二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-072487
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260689
出願日： 1996年03月27日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：
【要約】【課題】 ショットキー電極周囲での電界集中を防ぐためにショットキー電極周囲に空隙を形成し、その空隙に絶縁物を充填することなくショットキー電極への配線を形成可能とする。【解決手段】 GaAs層13上にショットキー電極14を設けてなるショットキーバリアダイオードにおいて、ショットキー電極14の周囲のGaAs層13に空隙19を形成し、この空隙19の上に空隙19を跨ぐ橋18を形成し、この橋18の上にショットキー電極14への金属配線17を形成した。
請求項（抜粋）：
半導体(13)上にショットキー電極(14)を設けてなるショットキーバリアダイオードにおいて、前記ショットキー電極の周囲の前記半導体に空隙(19)が形成され、前記空隙の上に前記空隙を跨ぐ橋(18)が形成され、前記橋の上に前記ショットキー電極への配線(17)が形成されていることを特徴とするショットキーバリアダイオード。
FI (3件)：
H01L 29/48 F
, H01L 29/48 P
, H01L 29/48 H
