特許

J-GLOBAL ID：200903046878629871

半導体発光素子およびその製造方法および光伝送モジュールおよび光交換装置および光伝送システム

発明者： 高橋 孝志 ,  伊藤 彰浩 ,  上西 盛聖 ,  佐藤 俊一
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-154156
公開番号（公開出願番号）：特開2003-168846
出願日： 2002年05月28日
公開日（公表日）： 2003年06月13日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板と窒素を含む活性層との間にAlを含む半導体層を設けた半導体発光素子において、発光特性を著しく改善することができる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 Alを構成元素として含む第1の半導体層501の成長後に、成長室内の窒素化合物原料または窒素化合物原料中に含まれる不純物が触れる場所に残留したAl原料、またはAl反応物、またはAl化合物、またはAlを除去する工程を設けており、その後、層厚がAlを含む第1の半導体層501よりも薄いAlを含む第2の半導体層502を設けてから、窒素を含む活性層204を形成している。

請求項（抜粋）：

基板と、基板上に積層されたAlを含む第1の半導体層と、Alを含む第1の半導体層上に形成された窒素を含む活性層とを含む半導体発光素子において、上記半導体層は、それぞれ有機金属Al原料と窒素化合物原料とを用いて成長されており、Alを含む第1の半導体層と窒素を含む活性層との間に、成長室内の窒素化合物原料または窒素化合物原料中に含まれる不純物が触れる場所に残留したAl原料、またはAl反応物、またはAl化合物、またはAlを除去する工程を行った後に、層厚がAlを含む第1の半導体層よりも薄いAlを含む第2の半導体層が設けられており、窒素を含む活性層における非発光再結合準位形成不純物の濃度は、半導体発光素子が室温連続発振可能となる濃度であることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01S 5/323 ,  H01S 5/183

FI (2件)：

H01S 5/323 ,  H01S 5/183

Fターム (12件)：

5F073AA13 ,  5F073AA65 ,  5F073AA74 ,  5F073AB17 ,  5F073BA02 ,  5F073CA07 ,  5F073CA17 ,  5F073CA20 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073EA23 ,  5F073EA24

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 窒化物半導体レーザ素子の成長方法及びその方法により得られる素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-010347   出願人：日亜化学工業株式会社