特許
J-GLOBAL ID：200903046884691805
圧電素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
五十嵐 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-353053
公開番号（公開出願番号）：特開平6-180326
出願日： 1992年12月11日
公開日（公表日）： 1994年06月28日
要約：
【要約】【目的】 加工および組立が容易で、かつ、圧電特性の優れた微小の圧電素子およびその製造方法を提供する。【構成】 上下両面に電極6,7を設けたセラミックス焼結基板20の下面にガラス層12を形成する。この基板20を水酸化カリウム溶液中に固定し、レーザを照射して、照射部分を選択的にエッチング加工し、前記基板20のうち、Si基板1の変形可能領域の肉薄部3に接合する部分、すなわち、加速度検出部25となる片持梁状の外周の穴13部分を取り除く。この基板20とSi基板1とをガラス層12を介して陽極接合した後、基板裏面を異方性エッチングして片持梁24を形成し、電極6,7とFET16等の信号処理回路を配線23で接続する。
請求項（抜粋）：
異方性エッチングが可能な半導体等の単結晶材料によって形成した変形可能領域に圧電材料のセラミックス焼結体が接合されてなる圧電素子。
IPC (4件)：
G01P 15/12
, G01L 1/22
, H01L 41/09
, H01L 29/84
