特許

J-GLOBAL ID：200903046885463733

熱電変換モジュールおよびこれを用いた熱電変換装置

発明者： 松原 千彰 ,  猪ノ口 博文 ,  カビル ムハマド エナムル
出願人/特許権者： 株式会社安川電機
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-378949
公開番号（公開出願番号）：特開2003-179275
出願日： 2001年12月12日
公開日（公表日）： 2003年06月27日
要約：

【要約】【課題】バルク型並みの熱電変換性能を有し、かつ生産性の高い薄膜型の熱電変換モジュールを得る。【解決手段】本発明の熱電変換モジュールは、基板上にP型半導体とN型半導体とを交互に配置し、P型とN型の半導体が金属層により直列接続されたものであり、基板を絶縁性を有した可とう性の2枚のフイルムとし、一方のフイルムにP側端子とP側金属層8とP型半導体よりなる熱電変換素子を接着してP側フイルム6とし、他方のフイルムにN側端子とN側金属層とN型半導体2よりなる熱電変換素子を接着してN側フイルム1とし、P型用フルムとN型用フイルムとを拝み合わせて一対のモジュールとし、双方の端子部、金属層部がお互いに電気的に接触することにより、P型半導体とN型半導体とを直列接続に配列した構成である。

請求項（抜粋）：

基板上にP型半導体とN型半導体とを交互に配置し、P型とN型半導体が金属層により直列接続された熱電変換モジュールにおいて、前記基板を絶縁性を有した可とう性の2枚のフイルムとし、一方のフイルムにP側端子と金属層とP型半導体よりなる熱電変換素子を接着してP側フイルムとし、他方のフイルムにN側端子と金属層とN型半導体よりなる熱電変換素子を接着してN側フイルムとし、前記P側フルムとN側フイルムとを拝み合わせて一対のモジュールとし、双方の端子部、金属層部がお互いに電気的に接触することにより、P型半導体とN型半導体が直列接続に配列するようにしたことを特徴とする熱電変換モジュール。

IPC (3件)：

H01L 35/32 ,  H01L 35/08 ,  H01L 35/34

FI (3件)：

H01L 35/32 A ,  H01L 35/08 ,  H01L 35/34