特許

J-GLOBAL ID：200903046891984850

半導体装置の製造方法

発明者： 室山 雅和
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-348405
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186254
出願日： 1997年12月18日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：

【要約】【課題】 配線間にダミーパターンを形成する際に、工程数を削減するために金属層を用いて形成すると配線間容量の増加を招き、配線層を用いて形成すると工程数が増大し、工程が非常に複雑になる。【解決手段】 配線13等により段差を有する基体10上に、紫外線L(または電子線)を照射することによりシリコンと酸素との結合を生成する、例えばアルキルシラン類からなる感光性膜14を、例えば段差の高さとほぼ同等の厚さに形成する。次いで上記段差の凹部15に形成されている感光性膜14の所定位置に紫外線L(または電子線)を照射して、膜中にシリコンと酸素との結合を生成して、シリコン酸化層14oxを生成する。その後シリコン酸化層14ox以外(未照射部分)の感光性膜14を除去することにより、段差の凹部15にシリコン酸化層14oxからなる島状の絶縁膜パターン16を形成する。

請求項（抜粋）：

段差を有する基体上に、紫外線または電子線を照射することによりシリコンと酸素との結合を生成する感光性膜を形成する工程と、前記基体段差の凹部に形成されている前記感光性膜の所定位置に紫外線または電子線を照射して該感光性膜中にシリコンと酸素との結合を生成する工程と、前記シリコンと酸素との結合を有する部分を残してその他の前記感光性膜を除去することにより、前記凹部にシリコンと酸素との結合を有する島状の絶縁膜パターンを形成する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/316 G ,  H01L 21/312 D ,  H01L 21/90 K