特許

J-GLOBAL ID：200903046901272510

強誘電体メモリ素子

発明者： 松永 宏典
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-179851
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026705
出願日： 1997年07月04日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：

【要約】【課題】 強誘電体メモリ素子において、良好な半導体基板/強誘電体薄膜界面を実現すると共に低電圧動作を可能とするメモリセル構造を提供する。【解決手段】 半導体基板表面に形成された一対のソース/ドレイン領域と、該ソース/ドレイン領域に接続された一対のソース/ドレイン電極と、前記一対のソース/ドレイン領域間の半導体基板上に形成された強誘電体薄膜と、該強誘電体薄膜上に形成されたゲート電極からなり、該ゲート電極の一部が前記強誘電体薄膜を挟んで一方のソース/ドレイン電極の一部を被覆することによりキャパシタを構成する強誘電体メモリ素子。

請求項（抜粋）：

半導体基板表面に形成された一対のソース/ドレイン領域と、該ソース/ドレイン領域に接続された一対のソース/ドレイン電極と、前記一対のソース/ドレイン領域間の半導体基板上に形成された強誘電体薄膜と、該強誘電体薄膜上に形成されたゲート電極からなり、該ゲート電極の一部が前記強誘電体薄膜を挟んで一方のソース/ドレイン電極の一部を被覆することによりキャパシタを構成することを特徴とする強誘電体メモリ素子。

IPC (4件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (2件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 29/78 371