特許

J-GLOBAL ID：200903046902048770

配線構造、配線構造の形成方法、配線構造形成装置、及び半導体装置

発明者： 田口 充
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-131835
公開番号（公開出願番号）：特開平5-304107
出願日： 1992年04月24日
公開日（公表日）： 1993年11月16日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 十分なバリア性をもったバリアメタル構造を有する配線構造、かかる配線構造を、容易な工程で信頼性高く得ることができる配線構造の形成方法、かかる配線構造を、容易に、かつ、従来から配線形成に用いられている装置を特別な改造なくそのまま用い、バリアメタル形成後のプロセスも変更する必要がなく実施できる配線構造の形成装置、かかる配線構造を備えた半導体装置を提供すること。【構成】 ?@バリアメタル層3と、酸化層4とを備えるバリアメタル構造を有する配線構造。?Aバリアメタル層3を形成後、自然酸化により酸化層4を形成して、バリアメタル構造を得ることを特徴とする配線構造の形成方法。?Bバリアメタル層形成チャンバーと、酸化系ガスをパージするパージチャンバーを備えるバリアメタル構造を有する配線構造形成装置。?Cバリアメタル層と、酸化層とを備えるバリアメタル構造を備えた配線構造を有する半導体装置。

請求項（抜粋）：

バリアメタル構造を有する配線構造において、該バリアメタル構造が、バリアメタル層と、酸化層とを備えることを特徴とする配線構造。

IPC (6件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/90 ,  H01L 29/46