特許

J-GLOBAL ID：200903046903058000

半導体装置の製造方法

発明者： 角原 由美
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-083969
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291179
出願日： 1992年04月06日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：

【要約】【目的】 気相成長法により窒化チタン膜をコンタクト孔へ形成する際において、コンタクト孔底のチタンシリサイドから窒化チタン中へのシリコン原子の拡散を防止する。【構成】 コンタクト孔の底に形成したチタンシリサイド5の上に、窒化チタン7を形成し、続いて気相成長法により窒化チタン8を成長させる。窒化チタン7により、チタンシリサイド5から窒化チタン8へのシリコン原子の拡散が防止される。

請求項（抜粋）：

シリコン半導体基板上に形成した絶縁膜に拡散層領域に到達するコンタクト孔を形成する工程と、チタンシリサイドを前記コンタクト孔底を含む領域に形成する工程と、前記チタンシリサイド上に窒化チタンを形成する工程と、前記窒化チタン上に気相成長法により窒化チタンを形成する工程とを有してなることを特徴とする半導体装置の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-160328
  
• 特開昭62-098723
  
• 特開平3-250628