特許

J-GLOBAL ID：200903046906760563

多層配線構造の形成方法及び半導体装置の製造方法

発明者： 佐々木 直人 ,  尼崎 義洋
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-148438
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326727
出願日： 1992年05月15日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 多層配線構造において塗布ガラスを用いて層間絶縁膜を形成する場合も、コンタクト抵抗の不良やコンタクト部での配線材料のカバレッジの悪化を防止できる多層配線構造の形成方法、及びかかる配線構造を用いた半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 ?@多層配線構造の層間絶縁膜3を塗布ガラス3′を処理して形成する際、塗布ガラスの処理を、10-6Torr以下真空中で行う多層配線構造の形成方法。?A多層配線構造を備えた半導体装置の製造の際、多層配線構造の層間絶縁膜を塗布ガラス3′処理を10-6Torr以下の真空中で行って形成する半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

多層配線構造の層間絶縁膜を塗布ガラスを処理することにより形成する工程を備える多層配線構造の形成方法において、前記塗布ガラスの処理を、10-6Torr以下の真空中で行うことを特徴とする多層配線構造の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/90 ,  B05D 1/40