特許
J-GLOBAL ID：200903046914060139
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-272082
公開番号（公開出願番号）：特開平10-116840
出願日： 1996年10月15日
公開日（公表日）： 1998年05月06日
要約：
【要約】【課題】 化合物半導体よりなる半導体装置に関し、ゲート部の順方向耐圧が高く、ソース/ドレイン抵抗が低い電界効果トランジスタを有する半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体層14、16と、半導体層18と、半導体層20とが下地基板10上に積層されてなる半導体装置であって、半導体層14、16はオーミック電極24、26間に電流を流すためのチャネル層として機能し、半導体層18は、ゲート電極22直下の領域がi型の導電型を有し、オーミック電極24、26直下の領域、及びゲート電極22直下の領域とオーミック電極24、26直下の領域との間の領域が第1の導電型を有しており、半導体層20は、ゲート電極22直下の領域が第2の導電型を有し、オーミック電極24、26直下の領域が第1の導電型を有し、ゲート電極22直下の領域とオーミック電極24、26直下の領域との間の領域がi型の導電型を有するように構成する。
請求項（抜粋）：
第1の半導体層と、第2の半導体層と、第3の半導体層とが順次下地基板上に積層して形成され、前記第3の半導体層上に、ゲート電極と、前記ゲート電極の両側に前記ゲート電極と離間して形成された2つのオーミック電極とを有する半導体装置であって、前記第1の半導体層は、前記オーミック電極間に電流を流すためのチャネル層として機能し、前記第2の半導体層は、前記ゲート電極直下の領域がi型の導電型を有し、前記オーミック電極直下の領域、及び前記ゲート電極直下の領域と前記オーミック電極直下の領域との間の領域が第1の導電型を有しており、前記第3の半導体層は、前記ゲート電極直下の領域が前記第1の導電型と逆の第2の導電型を有し、前記オーミック電極直下の領域が前記第1の導電型を有し、前記ゲート電極直下の領域と前記オーミック電極直下の領域との間の領域がi型の導電型を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 27/095
H01L 29/80 F
, H01L 29/80 E
