特許

J-GLOBAL ID：200903046916184765

光電池および光電池を製造するための方法

発明者： ケプナー,ヘルベルト
出願人/特許権者： ユニヴェルシテ ドゥ ヌーシャテル アンスティチュ ドゥ ミクロテクニク
代理人 (1件)： 竹沢 荘一 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-511140
公開番号（公開出願番号）：特表平8-508368
出願日： 1994年09月27日
公開日（公表日）： 1996年09月03日
要約：

【要約】本発明の光電池(10)は、半導体基板(11)と、基板上に配置された正面パッシベーション層(129)と、第1導電率(pまたはn)を有する層から成るエミッタ(14)と、正面透明導電層(15)と、基板の背面全面にデポジットされ、該表面のすべてに維持された背面パッシベーション層(17)と、前記第1導電率と逆の第2導電率(nまたはp)を有する表面電界を発生するバック層(18)と、透明導電層(20)、チタンから成るフッキング層(21)および銀から成る反射層(22)を有する反射要素(19)を備えている。この光電池は製造コストが低いにもかかわらず、効率が高く、太陽電池として使用しうる。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、第1導電率(pまたはn)を備える1つの層により形成されたエミッタと、基板とエミッタとの間に設けられた正面パッシベーション層と、透明正面導電層と、基板の背面にデポジットされた背面パッシベーション層と、透明導電背面層、フッキング層および反射層とを含む反射要素とを備える光電池において、背面パッシベーション層(17)は、基板(11、11’)の背面全面をカバーし、前記パッシベーション層は、エミッタの第1導電率と反対の第2導電率(nまたはp)を有し、表面電界を発生する背面層(18)によりカバーされていることを特徴とする光電池。

FI (2件)：

H01L 31/04 A ,  H01L 31/04 F