特許

J-GLOBAL ID：200903046916656381

高信頼性、金属プログラマブル論理回路を有する集積回路

発明者： イブ、デュフォー ,  ルネ、エイチ.イエンセン
出願人/特許権者： コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ
代理人 (1件)： 吉武 賢次 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-548441
公開番号（公開出願番号）：特表2003-518773
出願日： 2000年12月13日
公開日（公表日）： 2003年06月10日
要約：

【要約】金属プログラム可能論理セルを有する集積回路を製造する方法。金属プログラム可能論理セルは、集積回路の金属層形成の工程で導線のルートを変更することにより、セルの入力端子と出力端子との間の論理パスに接続されたり、論理パスから切り離されたりするトランジスタを有する。論理パスに接続されないことによって選択外となったトランジスタは、電力供給路からも切り離される。一般に、選択外のトランジスタは、スキャンテスト回路が通常接続されるセルの入力端子と出力端子との間の論理パスの一部とはならないため、付加回路なしではスキャンテストすることができない。論理パスに含まれないトランジスタを切り離すことにより、通電状態のトランジスタが動作しない、“スタックオン”不良がおこっても、不良トランジスタを通して電力供給路の間に電流が流れることがなく、よって帯電部分や信用性の問題が起こるのを回避できる。“スタックオン”不良の時のダメージを回避できるため、特別なテスト回路の必要性がなくなる。

請求項（抜粋）：

論理セルの論理パスへトランジスタを含めるまたは含めないことを導線路の選択によって決定することにより、製造工程中、論理セルが第1の論理構成を持つか、第2の論理構成を持つかを選択できる、金属プログラム可能論理セルを有する集積回路の信頼性を向上する方法であって、 少なくとも1つのトランジスタが機能的に前記論理セルの前記論理パスから切り離されるように導線路を配置することにより、前記少なくとも1つのトランジスタが前記論理セルの前記論理パスから非選択となる工程と、 前記論理セルの電力供給路間の前記非選択トランジスタには導通路は通らないように、前記少なくとも1つの非選択トランジスタの主電流パスを前記論理セルの電力供給路から切り離す工程と、 を含むことを特徴とする、金属プログラム可能論理セルを有する集積回路の信頼性を向上する方法。

IPC (5件)：

H01L 21/822 ,  G01R 31/28 ,  H01L 21/82 ,  H01L 27/04 ,  H03K 19/173 101

FI (5件)：

H03K 19/173 101 ,  H01L 27/04 D ,  H01L 27/04 T ,  H01L 21/82 W ,  G01R 31/28 G

Fターム (31件)：

2G132AA02 ,  2G132AC14 ,  2G132AK07 ,  2G132AK14 ,  5F038BE03 ,  5F038BH14 ,  5F038CD08 ,  5F038CD15 ,  5F038DF16 ,  5F038DT06 ,  5F038DT15 ,  5F038EZ20 ,  5F064BB03 ,  5F064BB05 ,  5F064BB26 ,  5F064BB35 ,  5F064CC09 ,  5F064DD39 ,  5F064EE06 ,  5F064EE52 ,  5F064FF16 ,  5F064FF48 ,  5J042AA10 ,  5J042BA01 ,  5J042BA12 ,  5J042CA08 ,  5J042CA22 ,  5J042CA24 ,  5J042CA27 ,  5J042DA05 ,  5J042DA06