特許

J-GLOBAL ID：200903046917465709

半導体装置及びその作製方法

発明者： 張 宏勇 ,  大沼 英人
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-207177
公開番号（公開出願番号）：特開平11-040816
出願日： 1997年07月16日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：

【要約】【課題】 ニッケルを利用して得られた結晶性珪素膜中からニッケル元素の影響を排除する。【解決手段】非晶質珪素膜102上に酸化珪素膜でなるマスク103を形成し、ニッケル元素を選択的に非晶質珪素膜102の表面に保持する。次に加熱処理を施し、105で示されるような結晶成長を行わせる。この結晶成長は、ニッケル元素の拡散に伴うものとなる。マスク103を利用して108の領域に燐のドーピングが行われる。そして再度の加熱処理を行い、先の結晶成長時におけるニッケル元素の拡散経路とが逆の経路をたどってニッケル元素をマスク103下のパターンから除去する。再度マスク103を利用して珪素膜をパターニングし、パターン111を形成する。こうして、高い結晶性を有し、しかもニッケル元素の影響が排除された活性層パターンを特にマスクを増やさずに(即ち、工程を複雑化せずに)得ることができる。

請求項（抜粋）：

周囲全体から結晶成長が進行した結晶構造を有する活性層を備えた半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203

FI (3件)：

H01L 29/78 627 G ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 S