特許
J-GLOBAL ID：200903046920349965
縦型薄膜半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
山本 恵一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-105022
公開番号（公開出願番号）：特開平7-297406
出願日： 1994年04月21日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：
【要約】【目的】 素子寸法を大きくすることなく大電流を流すことが可能な縦型薄膜半導体装置を提供する。【構成】 基板面と垂直方向にドレイン電極11、12及びソース電極14が積層されてなる縦型TFT装置である。特に、そのドレイン電極11、12が基板10の面に接して形成されており、このドレイン電極11、12の面積がソース電極14の面積より広くなっている。
請求項（抜粋）：
基板面と垂直方向にドレイン電極及びソース電極が積層されてなる縦型薄膜半導体装置であって、前記ドレイン電極が前記基板面に接して形成されており、該ドレイン電極が前記ソース電極より広い面積を有していることを特徴とする縦型薄膜半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/78 311 X
, H01L 29/78 321 X
