特許
J-GLOBAL ID:200903046923543231

二次電池の過放電防止回路、二次電池及び電気機器

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 足立 勉
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-167390
公開番号(公開出願番号):特開2005-348556
出願日: 2004年06月04日
公開日(公表日): 2005年12月15日
要約:
【課題】 二次電池の放電遮断後に電池電圧の回復現象によって電池電圧が上昇しても、二次電池と負荷との接続の遮断状態を維持し、二次電池の過放電を防止する過放電防止回路を提供する。【解決手段】 二次電池の負極側に接続された入出力経路に直列にFET11を接続し、正極側に接続された入出力経路とFET11のゲートとの間にFET12を接続する。そして、二次電池の正極側と負極側の入出力経路間に分圧抵抗を設け、FET12のゲートに分圧抵抗からバイアス電圧が印加されるようにする。そうすると、二次電池の電圧が二次電圧の放電を停止させるために予め設定された過放電判定電圧よりも低くなったら、FET12のバイアス電圧が低下し、FET12がOFF状態となり、FET11のゲートにバイアス電圧がかからなくなるためFET11はOFF状態となり、二次電池と負荷との接続が遮断される。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
充放電可能な二次電池の正極側端子と負極側端子の各々に接続されて前記二次電池を充放電するための正負一対の電流経路に設けられ、前記二次電池の過放電を防止する過放電防止回路であって、 前記一対の電流経路の一方である第1の電流経路に直列に接続され、該電流経路を導通・遮断する第1のトランジスタと、 前記一対の電流経路のうち、前記第1のトランジスタが設けられていない第2の電流経路と、前記第1のトランジスタの制御端子との間に設けられた第2のトランジスタと、 前記第2のトランジスタの導通時に、該第2のトランジスタを介して前記第2の電流経路から前記第1のトランジスタの制御端子にバイアス電圧を印加し、前記第1のトランジスタを導通させる第1の駆動手段と、 前記第1のトランジスタに前記二次電池と反対側で接続された第1の電流経路と、前記第2の電流経路との間に設けられ、これら各電流経路間の電圧が前記二次電池の放電を停止させるために予め設定された過放電放判定電圧よりも高いときに、前記第2のトランジスタを導通させ、また、前記各電流経路間の電圧が前記過放電放判定電圧以下になったときに前記第2のトランジスタを遮断させる第2の駆動手段と、 を備えたことを特徴とする二次電池の過放電防止回路。
IPC (2件):
H02J7/00 ,  H01M10/44
FI (3件):
H02J7/00 302D ,  H02J7/00 S ,  H01M10/44 P
Fターム (10件):
5G003AA01 ,  5G003BA01 ,  5G003DA04 ,  5G003GA01 ,  5H030AA04 ,  5H030AS20 ,  5H030FF41 ,  5H030FF43 ,  5H030FF44 ,  5H030FF52
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 非水電解質二次電池
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2001-103521   出願人:ジ-エス・メルコテック株式会社

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