特許

J-GLOBAL ID：200903046924549063

エピタキシャルウェハおよびそれを用いた半導体レーザ素子ならびにその製造方法

発明者： 松原 秀樹 ,  三浦 祥紀 ,  関 壽 ,  纐纈 明伯
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-068050
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264901
出願日： 1995年03月27日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 GaN系エピタキシャル結晶を用いた、低コストで安定なレーザ素子およびその製造方法を提供する。【構成】 導波路に設けた周期的な回折格子により導波光を反射する現象を利用した半導体レーザ素子であって、その表面に回折格子9が形成されたGaAs半導体基板1と、基板1上に形成された厚さが10nm〜80nmのGaNからなる第1のバッファ層2と、第1のバッファ層2上に形成されたGaNからなる第2のバッファ層3と、第1のバッファ層2と第2のバッファ層3との界面に位置する不整合面8と、第2のバッファ層3上に形成された第1のクラッド層4と、第1のクラッド層4上に形成された活性領域5と、活性領域5上に形成された第2のクラッド層6と、第2のクラッド層6上に形成されたコンタクト層7とを含む。

請求項（抜粋）：

その表面に回折格子が形成された、GaAsおよびInPからなる群から選ばれる化合物半導体基板と、前記基板上に形成された、厚さが10nm〜80nmのGaNからなるバッファ層と、前記バッファ層上に形成された、GaNを含むエピタキシャル層と、前記バッファ層と前記エピタキシャル層との界面に位置する不整合面とを含む、エピタキシャルウェハ。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/20 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/20 ,  H01L 33/00 A