特許
J-GLOBAL ID：200903046924911536
半導体リングレーザ装置及びその作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-142006
公開番号（公開出願番号）：特開2002-344079
出願日： 2001年05月11日
公開日（公表日）： 2002年11月29日
要約：
【要約】【課題】 リング長を比較的長くしてもしきい値電流が上昇せず、後方散乱の影響を減少させて、安定な動作が可能なリングレーザを提供する。【解決手段】 電極4に電流を注入すると、活性層13から840nm近傍の波長の光が発生する。この光は隣接している導波コア層8に結合し、リング導波路2を伝搬して再び活性層13に結合する。リング導波路2はエネルギバンドギャップ波長が780nmとなるために、840nmの光の損失は小さい。又、電流注入は活性領域5のみでよいため、リング導波路全体に注入しなければならない従来のものに比べて、特にリング長が長い場合に有利になる。また、リング導波路部の後方散乱光は増幅されないためにリングレーザは安定なCW、CCWの2モード動作が可能となる。本素子は電流注入する電極4からリングレーザ内のキヤリアの変動を電圧変動として取りだすことによって回転検出を行うことができる。
請求項（抜粋）：
光損失の小さいリング状光導波路と同一平面内に、電流注入を行うことで光利得をもち且つ共振器構造を持たない半導体導波路を近傍に配し、該リング状光導波路を周回する光を該半導体導波路に光結合させることを特徴とする半導体リングレーザ装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (14件)：
2F105BB03
, 2F105BB04
, 2F105DD07
, 2F105DE01
, 2F105DE03
, 5F073AA13
, 5F073AA66
, 5F073AA74
, 5F073AA83
, 5F073BA09
, 5F073CA05
, 5F073DA05
, 5F073DA21
, 5F073EA15
