特許

J-GLOBAL ID：200903046926457808

薄膜トランジスタの製造方法およびその装置

発明者： 石田 有親
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 樺澤 襄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-145608
公開番号（公開出願番号）：特開2001-326359
出願日： 2000年05月17日
公開日（公表日）： 2001年11月22日
要約：

【要約】【課題】 薄膜トランジスタの閾値電圧を安定させることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】 アニール室47で非晶質半導体薄膜2の全体を多結晶薄膜3とする。アニール室47の不活性ガスを圧力調整バルブ60から排気して真空にする。仕切弁44を開け、搬送機構54を用いて搬送室46内に一旦ガラス基板1を収容し、仕切弁44を閉じた後に仕切弁43を開き、搬送機構54によりガラス基板1を仕込み室45に搬送する。吸排気弁53から酸素ガスを導入し、仕込み室45を大気圧にし、酸素ガスの導入している酸素雰囲気中に水銀ランプ52を点灯し、多結晶薄膜3の表面に極薄の酸化膜を形成する。

請求項（抜粋）：

絶縁基板と、この絶縁基板上に形成された半導体膜と、この半導体膜上に形成されたゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜を介して前記半導体膜上に形成されたゲート電極とを具備した薄膜トランジスタの製造方法において、前記半導体膜を形成した後にこの半導体膜の表面に酸化処理にて酸化膜を形成し、この酸化膜を形成した後に大気に取り出すことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (6件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/268

FI (6件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/268 G ,  H01L 29/78 627 G ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 619 A

Fターム (42件)：

2H092JA25 ,  2H092KA04 ,  2H092MA25 ,  2H092MA30 ,  2H092NA24 ,  5F045AA08 ,  5F045AA20 ,  5F045AB04 ,  5F045AB32 ,  5F045AC11 ,  5F045AF07 ,  5F045BB14 ,  5F045BB16 ,  5F045EN04 ,  5F045HA16 ,  5F045HA17 ,  5F045HA24 ,  5F052AA02 ,  5F052BB07 ,  5F052CA02 ,  5F052DA02 ,  5F052DB01 ,  5F052EA03 ,  5F052EA15 ,  5F052EA16 ,  5F052JA01 ,  5F052JA04 ,  5F110AA08 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110NN02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP31 ,  5F110PP38 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11