特許
J-GLOBAL ID：200903046929063185
薄膜太陽電池の製造方法,及び薄膜太陽電池
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-053782
公開番号（公開出願番号）：特開平7-226528
出願日： 1994年03月24日
公開日（公表日）： 1995年08月22日
要約：
【要約】【目的】 半導体薄膜と耐熱性基板とが効率よく分離され、かつ、耐熱性基板を繰り返し使用することのできる薄膜太陽電池の製造方法を得る。【構成】 単結晶シリコンウエハからなる耐熱性基板1上にシリコン酸化膜からなる剥離層2,p型多結晶シリコン薄膜からなる半導体薄膜3,及びシリコン酸化膜からなるキャップ層4を順次形成する。次に、半導体薄膜3の帯域溶融再結晶化を行う。次に、キャップ層4を除去した後、半導体薄膜3の上面に接合層5を形成する。次に、半導体薄膜3に剥離層2に達する貫通孔8を形成する。次に、貫通孔8を通して剥離層2をエッチング除去して、半導体薄膜3を耐熱性基板1から分離する。次に、半導体薄膜3の上面と下面に電極を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体薄膜をその発電層とする薄膜太陽電池を製造する方法において、基板上に剥離層を形成し、この剥離層上に上記半導体薄膜を形成する工程と、上記半導体薄膜に上記剥離層に達する貫通孔を形成する工程と、上記貫通孔を通して上記剥離層をエッチング除去し、上記半導体薄膜と上記基板とを分離する工程とを含むことを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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