特許

J-GLOBAL ID：200903046933931116

マグネトロンプラズマ処理装置

発明者： 堀岡 啓治 ,  長谷川 誠 ,  石川 吉夫 ,  平塚 正人
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社 ,  株式会社東芝 ,  東京エレクトロン山梨株式会社
代理人 (1件)： 井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-207408
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029269
出願日： 1991年07月23日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：

【要約】【目的】 被処理体に外周部付近に与えるチャージアップダメージを減少させることができるマグネトロンプラズマ処理装置を提供する。【構成】 ウエハ10の外周を囲むように、このウエハ10よりも導電性リング22を載置する。この導電性リングによってプラズマ生成領域の外周部付近の電子を取り込み、プラズマ生成領域の外周部付近の電子密度を低下させる。これにより、被処理体に注入されるイオン数を減少させることができる。

請求項（抜粋）：

被処理体を載置する第1の電極およびこの第1の電極に対向する第2の電極によって形成された電界と、この電界と垂直な成分を有する磁界と、を作用させて反応室内にマグネトロンプラズマを生成し、このマグネトロンプラズマによって前記被処理体の処理を行なうマグネトロンプラズマ処理装置において、前記被処理体の周縁部に設けられた導電性リングを有し、且つ、この導電性リングの電気抵抗が前記被処理体の電気抵抗よりも小さいことを特徴とするマグネトロンプラズマ処理装置。

IPC (5件)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/31

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-016211
  
• 特開平3-222415
  
• 特開平4-057325