特許

J-GLOBAL ID：200903046933949279

面発光半導体レーザの製造方法

発明者： 浜尾 昇
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 本庄 伸介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-355745
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175602
出願日： 1991年12月20日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：

【要約】【目的】 閾値電流が小さく信頼性に優れ、しかも電極形成が容易な面発光半導体レーザの製造方法を提供する。【構成】 下部半導体多層反射膜4と活性層6と上部半導体多層反射膜10を順次半導体基板上に形成し、マスク12を用いて活性層6の直下までエッチングすることにより発光領域13を形成する。この後にガスエッチング等の等方的エッチング法を用いて発光領域側面近傍の半導体層をエッチング除去する。次に高真空中内で試料を成長室に搬入し活性層6のバンドギャップエネルギーよりも大きなバンドギャップエネルギーを有する表面保護半導体層14を成長し埋め込み構造を形成する。このとき分子線エピタキシー法等を用いれば表面保護半導体層14は分離される。従って次にマスク12を除去する工程でマスク上の表面保護半導体層も同時に除去でき、発光領域13の上面に電極を形成することが出来る。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、下部半導体多層反射膜を形成する工程と、活性層を形成する工程と、上部半導体多層反射膜を形成する工程と、発光領域となる領域に少なくとも絶縁膜を含む層からなるマスクを形成する工程と、該マスクを用いて少なくとも活性層直下までエッチング除去された領域に囲まれた発光領域を形成する工程と、この工程の後に発光領域の側面が上記マスクより内側にいたるまで該発光領域側面の半導体層をエッチング除去する工程と、この工程の後に活性層のバンドギャップエネルギーよりも大きなバンドギャップエネルギーを有する半導体層からなる表面保護半導体層を少なくとも活性層の側面近傍に形成する工程と、この工程の後に上記マスクをエッチング除去することにより該マスク上の表面半導体層のみを同時に除去する工程とを少なくとも有することを特徴とする面発光半導体レーザの製造方法。