特許
J-GLOBAL ID：200903046934138754
半導体素子解析装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大西 孝治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-076118
公開番号（公開出願番号）：特開平5-240927
出願日： 1992年02月26日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：
【要約】【目的】 SEM画像の任意の箇所を選択すると、他の画像がスピーディーに切り換わり、しかも測定された動作電圧波形等が正常か否かをデバイス設計者等の熟練者でなくとも容易に判断できるようにする。【構成】 動作が正常な基準用素子と解析対象となる解析用素子とにテストパターンを供給するパターン発生部200 と、2つの半導体素子のSEM画像を得ることができる2つの電子ビームテスタ100A、100Bと、SEM画像を表示するモニタ部300 と、2つの電子ビームテスタ100A、100Bが2つの半導体素子の同等の箇所を表示するようにコントロールするコントロール部400 とを有している。
請求項（抜粋）：
2つの半導体素子にテストパターンを供給するパターン発生部と、前記半導体素子のSEM画像を得ることができる2つの電子ビームテスタと、前記SEM画像を表示するモニタ部と、前記2つの電子ビームテスタが2つの半導体素子の同等の箇所を表示するようにコントロールするコントロール部とを具備したことを特徴とする半導体素子解析装置。
IPC (2件)：
引用特許：
前のページに戻る
